型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 96A48535-49￥12.811550-199￥12.2640200-499￥11.9574500-999￥11.88081000-2499￥11.80412500-4999￥11.71655000-7499￥11.6618≥7500￥11.6070 -
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品类: MOS管描述: P沟道 100V 90A53135-49￥24.277550-199￥23.2400200-499￥22.6590500-999￥22.51381000-2499￥22.36852500-4999￥22.20255000-7499￥22.0988≥7500￥21.9950 -
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品类: MOS管描述: N沟道 800V 44A90641-9￥55.522210-99￥52.3365100-249￥49.9700250-499￥49.6059500-999￥49.24181000-2499￥48.83222500-4999￥48.4682≥5000￥48.2406 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFK44N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V84085-49￥22.662950-199￥21.6944200-499￥21.1520500-999￥21.01651000-2499￥20.88092500-4999￥20.72595000-7499￥20.6291≥7500￥20.5322 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch Isoplus24721361-9￥214.555510-49￥208.958450-99￥204.6673100-199￥203.1747200-499￥202.0553500-999￥200.56281000-1999￥199.6299≥2000￥198.6971 -
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品类: MOS管描述: IXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-26882115-24￥3.037525-49￥2.812550-99￥2.6550100-499￥2.5875500-2499￥2.54252500-4999￥2.48635000-9999￥2.4638≥10000￥2.4300 -
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品类: MOS管描述: TO-268 N-CH 1200V 6A11301-9￥69.931510-99￥66.8910100-249￥66.3437250-499￥65.9180500-999￥65.24911000-2499￥64.94512500-4999￥64.5194≥5000￥64.1546 -
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品类: MOS管描述: N沟道 100V 130A251510-99￥9.9720100-499￥9.4734500-999￥9.14101000-1999￥9.12442000-4999￥9.05795000-7499￥8.97487500-9999￥8.9083≥10000￥8.8751 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3Pin(3+Tab) PLUS 247 Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3Pin(3+Tab) PLUS 24748661-9￥117.495510-49￥114.430450-99￥112.0805100-199￥111.2631200-499￥110.6501500-999￥109.83281000-1999￥109.3219≥2000￥108.8111 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度61651-9￥199.582510-49￥194.376050-99￥190.3844100-199￥188.9960200-499￥187.9547500-999￥186.56631000-1999￥185.6985≥2000￥184.8308 -
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品类: MOS管描述: IXKR 系列 单 N 沟道 600 V 45 mOhm 功率 MOSFET - ISOPLUS24779411-9￥54.302210-99￥51.1865100-249￥48.8720250-499￥48.5159500-999￥48.15981000-2499￥47.75922500-4999￥47.4032≥5000￥47.1806 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 24716621-9￥106.743010-99￥102.1020100-249￥101.2666250-499￥100.6169500-999￥99.59591000-2499￥99.13182500-4999￥98.4820≥5000￥97.9251 -
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品类: MOS管描述: TO-247 N-CH 100V 230A24141-9￥48.958610-99￥46.1495100-249￥44.0627250-499￥43.7417500-999￥43.42071000-2499￥43.05952500-4999￥42.7385≥5000￥42.5378 -
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品类: MOS管描述: SOT-227B N-CH 1100V 36A58641-9￥403.661510-49￥393.131250-99￥385.0580100-199￥382.2499200-499￥380.1438500-999￥377.33581000-1999￥375.5807≥2000￥373.8257 -
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品类: MOS管描述: TO-247AD N-CH 900V 13A16991-9￥89.550510-99￥85.6570100-249￥84.9562250-499￥84.4111500-999￥83.55451000-2499￥83.16522500-4999￥82.6201≥5000￥82.1529 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备30801-9￥69.770510-99￥66.7370100-249￥66.1910250-499￥65.7663500-999￥65.09891000-2499￥64.79562500-4999￥64.3709≥5000￥64.0069 -
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品类: MOS管描述: Mosfet 2n-Ch 150V 65A I4-Pac-576291-9￥249.998510-49￥243.476850-99￥238.4768100-199￥236.7377200-499￥235.4334500-999￥233.69431000-1999￥232.6073≥2000￥231.5204 -
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品类: MOS管描述: IXTP 系列 单通道 N 沟道 100 V 18 mOhm 176 W 功率 Mosfet - TO-22011265-24￥2.997025-49￥2.775050-99￥2.6196100-499￥2.5530500-2499￥2.50862500-4999￥2.45315000-9999￥2.4309≥10000￥2.3976 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24791011-9￥104.339510-99￥99.8030100-249￥98.9864250-499￥98.3513500-999￥97.35331000-2499￥96.89962500-4999￥96.2645≥5000￥95.7202 -
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品类: MOS管描述: N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-24766231-9￥106.501510-99￥101.8710100-249￥101.0375250-499￥100.3892500-999￥99.37051000-2499￥98.90752500-4999￥98.2592≥5000￥97.7036 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin(3+Tab) TO-22012775-24￥5.116525-49￥4.737550-99￥4.4722100-499￥4.3585500-2499￥4.28272500-4999￥4.18805000-9999￥4.1501≥10000￥4.0932 -
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品类: MOS管描述: N-CH 500V 20A45985-49￥22.592750-199￥21.6272200-499￥21.0865500-999￥20.95141000-2499￥20.81622500-4999￥20.66175000-7499￥20.5652≥7500￥20.4686 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N20. 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 V56701-9￥446.487510-49￥434.840050-99￥425.9103100-199￥422.8043200-499￥420.4748500-999￥417.36881000-1999￥415.4275≥2000￥413.4863 -
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品类: MOS管描述: PLUS N-CH 850V 90A31041-9￥229.459510-49￥223.473650-99￥218.8844100-199￥217.2882200-499￥216.0910500-999￥214.49481000-1999￥213.4971≥2000￥212.4995 -
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品类: MOS管描述: N沟道 850V 20A70071-9￥41.931410-99￥39.5255100-249￥37.7383250-499￥37.4633500-999￥37.18831000-2499￥36.87902500-4999￥36.6041≥5000￥36.4322 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备55741-9￥166.922510-49￥162.568050-99￥159.2296100-199￥158.0684200-499￥157.1975500-999￥156.03631000-1999￥155.3105≥2000￥154.5848 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFN73N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V50155-49￥21.656750-199￥20.7312200-499￥20.2129500-999￥20.08341000-2499￥19.95382500-4999￥19.80575000-7499￥19.7132≥7500￥19.6206 -
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品类: MOS管描述: N-Channel 250V 180A 12.9mΩ Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS24717351-9￥105.903510-99￥101.2990100-249￥100.4702250-499￥99.8256500-999￥98.81261000-2499￥98.35212500-4999￥97.7075≥5000￥97.1550 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 300V 110A 3Pin(3+Tab) TO-264AA62331-9￥151.340010-49￥147.392050-99￥144.3652100-199￥143.3124200-499￥142.5228500-999￥141.47001000-1999￥140.8120≥2000￥140.1540 -
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品类: MOS管描述: TO-268 N-CH 500V 30A22321-9￥89.401010-99￥85.5140100-249￥84.8143250-499￥84.2702500-999￥83.41501000-2499￥83.02632500-4999￥82.4821≥5000￥82.0157
